FMUSER Pŵer Transistor Pwer Newydd MRF6VP11KH RF Transistor Power-MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER Gwreiddiol New MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Mae FMUSER MRF6VP11KHR6 wedi'i gynllunio'n bennaf ar gyfer cymwysiadau band llydan pyls gydag amleddau hyd at 150 MHz. Mae dyfais yn ddigymar ac yn addas i'w defnyddio mewn cymwysiadau diwydiannol, meddygol a gwyddonol. Nodweddion Perfformiad Pwls Nodweddiadol ar 130 MHz: VDD = 50 folt, IDQ = 150 mA, Pout = Copa 1000 Watts (200 W Avg.), Lled Pwls = 100 µsec, Cylch Dyletswydd = 20% Ennill Pwer: 26 dB Effeithlonrwydd Draenio: 71 % Yn gallu Trin 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, Pŵer Copa 1000 Watts wedi'i Nodweddu â Pharamedrau Rhwystr Signalau Mawr Cyfwerth Cyfres Gallu Gweithrediad CW gydag Oeri Digonol Cymwysedig Hyd at Uchafswm o 50 Gweithrediad ESD Integredig Amddiffyn ESD

Detail

previous:FMUSER Gwreiddiol New D1029UK RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Deuol N-Channel MOSFET, 35 A, 70 V, 5-Pin DR D1029UK

nesaf:FMUSER Tiwb Transistor Pwer Newydd MRF6V2150NB SMD RF Modiwl Ymhelaethu Pŵer Tiwb Amledd Uchel Power MOSFET Transistor

Price (USD)	Qty (PCS)	Llongau (USD)	Cyfanswm (USD)	Dull Shipping	talu
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER Gwreiddiol Transistor Power MOSFET Transistor Power MRF6VP11KH RF Newydd

Mae FMUSER MRF6VP11KHR6 wedi'i gynllunio'n bennaf ar gyfer cymwysiadau band eang pyls gydag amleddau hyd at 150 MHz. Mae dyfais yn ddigymar ac yn addas i'w defnyddio mewn cymwysiadau diwydiannol, meddygol a gwyddonol.

Nodweddion

Perfformiad Pwls Nodweddiadol ar 130 MHz: VDD = 50 folt, IDQ = 150 mA, Pout = Copa 1000 Watts (200 W Avg.), Lled Pwls = 100 µsec, Cylch Dyletswydd = 20%
Ennill Pwer: 26 dB
Draeniwch Effeithlonrwydd: 71%
Yn gallu ymdrin â 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts Peak Power
Wedi'i nodweddu â Pharamedrau Impedance Large Signal Cyfwerth Cyfwerth
CW Gweithrediad Gallu gydag Oeri Digonol
Cymhwyso Hyd at Uchafswm o Weithrediad 50 VDD
Integredig Diogelu ADC
Cynllun ar gyfer Push-Pull Operation
Pwynt Negyddol y Porth Negyddol-Ffynhonnell Gwirfoddol ar gyfer Gwelliant Dosbarth C Ymgyrch
RoHS Cydymffurfio
Mewn Tâp a Rîl. Ôl-ddodiad R6 = 150 o unedau fesul 56 mm, Rîl 13 modfedd

Manyleb

Math transistor: LDMOS
Technoleg: Si
Diwydiant Cymhwyso: ISM, Broadcast
Cais: Gwyddonol, Meddygol
CW / Pwls: CW
Amledd: 1.8 i 150 MHz
Pwer: 53.01 dBm
Pwer (W): 199.99 W.
P1dB: 60.57dBm
Pwer Allbwn Uchaf: 1000 W.
Lled Pwls: 100 ni
Duty_Cycle: 0.2
Ennill Pwer (Gp): 24 i 26 dB
Dychweliad Mewnbwn: Colled: -16 i -9 dB
VSWR: 10.00: 1
Polaredd: N-Channel
Foltedd Cyflenwi: 50 V.
Foltedd Trothwy: 1 i 3 Vdc
Foltedd Dadansoddiad - Draen-Ffynhonnell: 110 V.
Foltedd - Ffynhonnell y Porth: (Vgs): - 6 i 10 Vdc
Effeithlonrwydd Draen: 0.71
Draenio Cyfredol: 150 mA
Rhwystr Zs: 50 Ohms
Gwrthiant Thermol: 0.03 ° C / W.
Pecyn: Math: Flange
Pecyn: CASE375D - 05 ARDDULL 1 NI - 1230--4
RoHS: Oes
Tymheredd Gweithredu: 150 Gradd C.
Tymheredd Storio: -65 i 150 Gradd C.