Tiwb Amledd Uchel FMUSER MRF151 To-59 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Band Eang MOSFET RF Power Field-Effect Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / Cyflenwr Darlledu Un Stop

Tiwb Amledd Uchel MRUS151 To-59 FMUSER 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Band Eang MOSFET RF Power Transistor Transistor Trosolwg Mae dyfeisiau cyfres MRF yn drawsffurfwyr RF deubegwn 1MHz i 3.5GHz perfformiad uchel. Mae'r transistorau deubegwn Tech hyn yn ddelfrydol ar gyfer afioneg, cyfathrebu, radar, a chymwysiadau diwydiannol, gwyddonol a meddygol. Mae dyfeisiau cyfres MRF yn rhan o ystod eang o drosglwyddyddion pŵer RF sydd hefyd yn cynnwys chwyddseinyddion paled, transistorau TMOS a DMOS, a transistorau LDMOS. Nodweddion ● Perfformiad Gwarantedig ar 30 MHz, 50 V: ● Pŵer Allbwn - 150 W ● Ennill - 18 dB (22 dB Typ) ● Effeithlonrwydd - 40% ● Perfformiad Nodweddiadol ar 175 MHz, 50 V: ● Ou

Detail

previous:FMUSER Gwreiddiol New SD2932 Transistor Power RF Ennill Pwer Uchel Transistor MOSFET 50V

nesaf:Mae'r FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-sianel MOS effaith maes maes Transistor Effaith Maes RF Power Maes-Effaith

Price (USD)	Qty (PCS)	Llongau (USD)	Cyfanswm (USD)	Dull Shipping	talu
149	1	0	149	DHL
				DHL

Tiwb Amledd Uchel FMUSER MRF151 To-59

150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Band Eang MOSFET RF Power Transistor Field-Effect Transistor

Trosolwg

Mae dyfeisiau cyfres MRF yn transistorau RF deubegwn 1MHz i 3.5GHz perfformiad uchel. Mae'r transistorau deubegwn Tech hyn yn ddelfrydol ar gyfer afioneg, cyfathrebu, radar, a chymwysiadau diwydiannol, gwyddonol a meddygol. Mae dyfeisiau cyfres MRF yn rhan o ystod eang o drosglwyddyddion pŵer RF sydd hefyd yn cynnwys chwyddseinyddion paled, transistorau TMOS a DMOS, a transistorau LDMOS.

Nodweddion

● Perfformiad Gwarantedig ar 30 MHz, 50 V:
● Pwer Allbwn - 150 W.
● Ennill - 18 dB (Teip 22 dB)
● Effeithlonrwydd - 40%
● Perfformiad Nodweddiadol ar 175 MHz, 50 V:
● Pwer Allbwn - 150 W.
● Ennill - 13 dB

● Ymwrthedd Thermol Isel
● Profwyd Ruggedness mewn Pŵer Allbwn Graddedig
● Die Passivated Nitride ar gyfer Dibynadwyedd Gwell

Disgrifiad

Transistorau RF MOSFET 5-175MHz 150Watts Ennill 50Volt 18dB. Wedi'i gynllunio ar gyfer cymwysiadau masnachol a milwrol band eang ar amleddau i 175 MHz. Mae pŵer uchel, ennill uchel a pherfformiad band eang y ddyfais hon yn gwneud trosglwyddyddion cyflwr solet posibl ar gyfer bandiau amledd darlledu FM neu sianel deledu.

Manyleb

● Categori Cynnyrch: Transistorau RF MOSFET
● Polaredd Transistor: N-Channel
● Id - Draen Parhaus Cyfredol: 16 Mae
● Vds - Foltedd Dadansoddiad Ffynhonnell Draen: 125 V
● ennill: 13 dB
● Pŵer Allbwn: 150 W
● Tymheredd Gweithredu Isaf: - 65 C.
● Tymheredd Gweithredu Uchaf: + 150 C.
● Mowntio Arddull: UDRh / UDRh
● Pecyn / Achos: 221-11-3
● Pecynnu: Hambwrdd
● configuration: Sengl
● Amledd Gweithredu: 175 MHz
● Pd - Dissipation Power: 300 W
● Math Cynnyrch: Transistorau RF MOSFET
● Meintiau Pecyn Ffatri: 20
● Is-gategori: MOSFET
● Vgs - Foltedd Porth-Ffynhonnell: 40 V
● Vgs th - Foltedd Trothwy Porth-Ffynhonnell: 3 V