MRFX1K80H: 1800 W CW dros 1.8-400 MHz, 65 V Band Eang RF Power LDMOS Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / Cyflenwr Un Stop Darlledu

MRFX1K80H: 1800 W CW dros 1.8-400 MHz, 65 V Band Eang RF Power LDMOS Transistor Disgrifiad Yr MRFX1K80H yw'r ddyfais gyntaf yn seiliedig ar dechnoleg 65 V LDMOS newydd sy'n canolbwyntio ar hwylustod i'w defnyddio. Mae'r transistor garwder uchel hwn wedi'i gynllunio i'w ddefnyddio mewn cymwysiadau diwydiannol, gwyddonol a meddygol VSWR uchel, yn ogystal â darllediadau teledu a VHF teledu, awyrofod is-GHz, a chymwysiadau radio symudol. Mae ei ddyluniad mewnbwn ac allbwn heb ei gyfateb yn caniatáu ar gyfer defnydd ystod amledd eang o 1.8 i 400 MHz. Mae'r MRFX1K80H yn gydnaws â pin (yr un PCB) gyda'i fersiwn blastig MRFX1K80N, gyda MRFE6VP61K25H a MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), a gyda MRF1K50H a MRF1K50N (1500 W @ 50 V). Nodwedd

Detail

previous:1 transistor RF gwreiddiol PCS MRF454

nesaf:FMUSER Gwreiddiol New MRF1535NT1 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

Price (USD)	Qty (PCS)	Llongau (USD)	Cyfanswm (USD)	Dull Shipping	talu
245	1	0	245	DHL
				DHL

MRFX1K80H: 1800 W CW dros 1.8-400 MHz, 65 V Transistor LDMOS Power Eang Band Eang RF

Disgrifiad

Yr MRFX1K80H yw'r ddyfais gyntaf sy'n seiliedig ar dechnoleg 65 V LDMOS newydd sydd yn canolbwyntio ar hwylustod i'w ddefnyddio. Mae'r transistor garwder uchel hwn wedi'i gynllunio i'w ddefnyddio mewn uchel Cymwysiadau diwydiannol, gwyddonol a meddygol VSWR, yn ogystal â theledu radio a VHF cymwysiadau darlledu, awyrofod is-GHz, a radio symudol. Ei fewnbwn heb ei gyfateb a mae dyluniad allbwn yn caniatáu ar gyfer defnydd ystod amledd eang o 1.8 i 400 MHz.Mae'r MRFX1K80H yn gydnaws â pin (yr un PCB) gyda'i fersiwn blastig MRFX1K80N, gyda MRFE6VP61K25H a MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), a gyda MRF1K50H a MRF1K50N (1500 W @ 50 V).

Nodweddion
●Yn seiliedig ar dechnoleg LDMOS 65 V newydd, wedi'i chynllunio er hwylustod
●Wedi'i nodweddu o 30 i 65 V ar gyfer yr ystod pŵer estynedig
●Mewnbwn ac allbwn heb ei gyfateb
●Foltedd chwalu uchel ar gyfer gwell dibynadwyedd a phensaernïaeth effeithlonrwydd uwch
●Gallu amsugno egni eirlithriad ffynhonnell draen uchel
●Garwder uchel. Trin 65: 1 VSWR.
●RoHS yn cydymffurfio

●Opsiwn gwrthiant thermol is yn y pecyn plastig wedi'i fowldio: MRFX1K80N

ceisiadau

● Diwydiannol, gwyddonol, meddygol (ISM)
● Cynhyrchu laser
● Cynhyrchu plasma
● Cyflymyddion gronynnau
● MRI, abladiad RF a thriniaeth croen
● Systemau gwresogi, weldio a sychu diwydiannol
● Darllediad teledu a theledu VHF
● Awyrofod
● Cyfathrebiadau HF

● Radar

pecyn yn cynnwys

1xMRFX1K80H Transistor RF Power LDMOS